但是其中涉及到的可不仅仅只是在光刻机上的差距。

更是在研制芯片的技术上和实验步骤上的巨大差距。

这可不是简简单单的想通过光刻机的差距就能弥补的差距。

而是要从光刻机到研制芯片的技术上全方位的突破才能弥补的差距。

但是要知道。

随着芯片精度的不断提高。

想要研制出一款精度更高的芯片那可绝不是一件简简单单的事情。

2纳米和3纳米虽然表面只是精度差了1纳米。

但是实际上要真的想用研制3纳米的芯片技术区研制2纳米的芯片。

那是一件天方夜谭的事情。

这其中所涉及到的技术差距和方案差距都是一道巨大的鸿沟。

想要填补这道鸿沟只能用长久的时间，巨大的资金人力资源投入才或许能填补的！

“这是真的吗？我有点不敢相信自己的眼睛啊！”

“是不是测量芯片的机器出错了......这芯片精度怎么居然达到了2纳米！”

“这是不是有点超出我们的预料了......”

“虽然我们都希望结果是好的，但是这有点太魔幻了吧......”

“不行，我要去检查一下测量芯片的机器是不是出现什么问题了......”

......

看着测量芯片的机器屏幕上那堪称奇迹的数字。

在场的一众光刻机专家心中难以言语的激动。

但是他们多年来对光刻机领域的研究也告诉他们这一幕实在是太过于不现实了。

要知道即使是以当今光刻机巨头的风车国。

从上一款精度的芯片突破到3纳米的精度的芯片也是花费了长达十年之久的时间。

并且从3纳米那款精度的芯片研制出来之后。

风车国在芯片上就一直未曾有任何突破。

可想而知要想在高精度的芯片上实现精度突破是一件多么艰难的事情。